| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201190000068.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202487541U | 公开（授权）日 | 2012.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;罗军;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种半导体结构，该半导体结构包括衬底、源/漏区、源/漏延伸区和栅极，其中：所述源/漏区和所述源/漏延伸区形成于所述衬底之中，所述源/漏延伸区的厚度小于所述源/漏区的厚度，其中在所述源/漏区以及至少部分所述源/漏延伸区的上表面存在接触层，所述接触层为CoSi2、NiSi或者Ni(Pt)Si2-y中的一种或其组合且所述接触层的厚度小于6nm。利于降低接触电阻，还可以使该半导体结构在后续的高温工艺中保持良好的性能。 |
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