| 专利名称 | 一种光强探测电离室 | 申请号 | CN201220084235.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202487525U | 公开（授权）日 | 2012.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 发明（设计）人 | 边风刚;王劼;李秀宏;王玉柱;田丰;周平 | 主分类号 | H01J47/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J47/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种光强探测电离室 至一种光强探测电离室 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种光强探测电离室，其包括：一电离室本体；两个转接法兰，分别沿电离室本体的轴向方向设于电离室本体的两端；各转接法兰与电离室本体密封连接；两透光窗口，分别设于各转接法兰与电离室本体连接的端面上，各透光窗口上均设有一低吸收低散射透光膜。本实用新型所述的光强探测电离室没有空气间隙，因此消除了这段空气间隙对光束产生的吸收和散射的作用，从而提高了实验的精确性；并且该电离室提高了光束到达样品的光通量，并且降低了探测信号的噪声；该电离室还能够节约光束线站的空间；此外，采用本实用新型所述的电离室还能够避免由于操作不当等原因而破坏电离室窗口的聚酰亚胺薄膜的问题。 |
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