| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010239275.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102339860A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;钟汇才 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；应力层，部分嵌入于半导体衬底中，应力层的表面包括顶壁、底壁和侧壁，侧壁由第一侧壁和第二侧壁构成，第一侧壁连接顶壁与第二侧壁，第二侧壁连接第一侧壁与底壁，第一侧壁和第二侧壁之间的夹角小于180°，并且第一侧壁和第二侧壁关于平行于半导体衬底的平面对称；沟道区，位于应力层上；栅堆叠，位于沟道区上；源/漏区，位于沟道区的两侧且嵌入半导体衬底中，源/漏区的表面比顶壁低。本发明的实施例适用于半导体器件的应力工程。 |
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