| 专利名称 | 半导体制造方法 | 申请号 | CN201110077477.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102723272A | 公开（授权）日 | 2012.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李春龙;李俊峰 | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/318(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体制造方法 至半导体制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体制造方法，在虚设晶圆上沉积一层保护膜，使保护膜完全包覆虚设晶圆，这样，在热氧化工艺中，虚设晶圆不会被氧化，从而减少了虚设晶圆的消耗，降低了生产成本，并且避免了由于虚设晶圆被氧化而产生的颗粒物，使欲氧化晶圆免于沾染。 |
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