| 专利名称 | 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法 | 申请号 | CN201210219229.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102723306A | 公开（授权）日 | 2012.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈骁;罗乐;汤佳杰;徐高卫 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法 至一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等工艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊工艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大规模制造，并且工艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。 |
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