| 专利名称 | 积累型CMOS器件的制造方法及其结构 | 申请号 | CN201010232797.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102339796A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 积累型CMOS器件的制造方法及其结构 至积累型CMOS器件的制造方法及其结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种积累型CMOS器件的制造方法，通过不超过5次光刻掩膜制造出完整的双阱场效应晶体管，大大简化了工艺流程；并且由于积累型CMOS不需要离子注入和杂质扩散形成源/漏区，从而减少了工艺的热预算；另外，nMOS和pMOS有源区之间，以及源/漏区接触和栅极接触之间的隔离均通过自对准的方式实现，从而降低失对准对器件尺寸的损害。 |
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