| 专利名称 | 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法 | 申请号 | CN200810041516.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101339921 | 公开（授权）日 | 2009.01.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;万旭东;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L21/8222(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 专利有效期 | 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法 至双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及双浅沟道隔离(dual-STI)的双极型晶体管阵列的制造方法， 其特征在于制造方法中，避免了选择性外延法，在第一导电类型的衬底上制 造形成较深的STI，在STI的侧壁和底部均匀沉积含有易扩散的第二导电类 型原子材料；去除沉积在STI槽口附近的含有易扩散的第二导电类型原子材 料；退火使上述材料中的第二导电类型原子扩散到位线中，形成对位线的第 二导电类型重掺杂；随后通过刻蚀将因第二导电类型原子扩散而相互连接的 位线分隔开，使位线之间电学不导通；通过离子注入和光刻在上述独立位线 上方形成独立的双极型晶体管，同一位线上的晶体管并用较浅的STI分隔开。 本发明还包含基于上述双浅沟道隔离双极型晶体管选通的相变存储器的制造 方法。 |
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