| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110068078.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102694007A | 公开（授权）日 | 2012.09.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体衬底的隔离结构，形成于半导体衬底上，包括：隔离沟槽，嵌入于所述半导体衬底中；介质层，填充于所述隔离沟槽中；其中，所述隔离沟槽的顶部具有第一宽度W1，所述隔离沟槽的底部具有第二宽度W2，W2＞W1。本申请还公开了该隔离结构的制造方法，具有该隔离结构的半导体结构及其制造方法。该隔离结构及其制造方法可提高集成电路的集成度。 |
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