| 专利名称 | 一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法 | 申请号 | CN200810119126.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101339128 | 公开（授权）日 | 2009.01.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 杨欢;李飞;罗先刚;杜春雷 | 主分类号 | G01N21/55(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/55(2006.01)I;G01N21/41(2006.01)I | 专利有效期 | 一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法 至一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤： (1)选择基片并清洗；(2)采用真空蒸镀在基片上镀上第一层金属膜；(3)在金属膜层上自 组装一层聚苯乙烯纳米球；(4)在自组装层上蒸镀第二层金属薄膜，填充球与球之间的间隙； (5)通过Lift off工艺去除纳米球；(6)采用激光直写机制作微米量级的点阵掩模板；(7) 利用光刻将掩模图形转移到基板上；(8)通过显影、去胶，得到点阵图形；(9)通过化学方 法，去除多余金属和光刻胶，形成具有周期性纳米结构的金属点阵芯片；本发明采用纳米聚 苯乙烯球进行自组装的方法实现周期性纳米结构的制备，适合大批量的制作纳米结构。 |
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