| 专利名称 | 一种提高相变存储器编程速度的系统及方法 | 申请号 | CN200810040952.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101329909 | 公开（授权）日 | 2008.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 丁晟;宋志棠;陈邦明;刘波;陈小刚;蔡道林;封松林 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高相变存储器编程速度的系统及方法 至一种提高相变存储器编程速度的系统及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的系统及方法，对存储单元进行编程操作的同 时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写 入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作 后，对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复，将读反馈与编程操作并行 进行，在提高存储其编程操作可靠性的同时，不影响整体编程速度。 |
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