| 专利名称 | 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法 | 申请号 | CN200810040950.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101329907 | 公开（授权）日 | 2008.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;丁晟;陈邦明;刘波;陈小刚;蔡道林;封松林 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法 至一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时， 预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待写入数据与存储 器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待写入数据与存储器原始存入数据不同，则 进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态，按照概率理论，待写入数据 与存储器原始数据相同的概率为50％，故该方法能够降低存储芯片50％的功耗，提高了存储 单元的存储寿命，同时擦、写时间比读的时间要长，因此该发明也可提高芯片的存储速度。 |
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