| 专利名称 | 一种气敏传感器 | 申请号 | CN200710117612.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101329291 | 公开（授权）日 | 2008.12.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黄钦文;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春 | 主分类号 | G01N27/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种气敏传感器 至一种气敏传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种气敏传感器，包括单晶 硅衬底，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层，加热测温电极、叉指电极，加 热测温电极和叉指电极之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点、加热测 温电极引出线压焊点和气体敏感层；所述电绝缘层在所述加热测温电极形 成后淀积在所述加热测温电极上，所述叉指电极形成于所述电绝缘层上， 所述气体敏感层淀积在所述叉指电极上。利用本发明，提高了器件被加热 的工作区域部分与周围的热绝缘，降低了器件功耗，简化了器件中加热和 测温部分的结构，有利于器件的大量生产以及和信号采集处理电路的集 成。 |
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