| 专利名称 | 相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法 | 申请号 | CN201010106878.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101789491A | 公开（授权）日 | 2010.07.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 龚岳峰;宋志棠;凌云;吕世龙;刘燕;李宜瑾 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法 至相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维结构，外围电路全部埋置于相变存储阵列下面，使得外围电路面积不会影响整个芯片的面积，相变存储器阵列位于外围电路的上方，布满整个芯片，最大程度利用了芯片的面积，提高器件密度。器件结构采用横向结构，比起纵向结构，在实现同样的结构图形的情况下，简化工艺。器件中相变材料在电极处分布薄，在中心区域分布厚，可以保证电极和相变材料接触面积小的同时，进一步提高电流密度，降低功耗。 |
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