| 专利名称 | 免封装电磁驱动式微小型电场传感器 | 申请号 | CN200710119832.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101359013B | 公开（授权）日 | 2010.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 夏善红;叶超;郑凤杰;陈绍凤 | 主分类号 | G01R29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R29/12(2006.01)I | 专利有效期 | 免封装电磁驱动式微小型电场传感器 至免封装电磁驱动式微小型电场传感器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种免封装电磁驱动式电场传感器，其中：绝缘支撑结构为一板状体，其上表面设置一屏蔽金属层；绝缘支撑结构间开设有一带台阶的孔，以嵌入安装电磁驱动元件；电磁驱动元件的振动膜上表面设置有一层感应金属层。在电磁驱动元件两端施加交流电压时，其交变的电流通过电磁驱动元件内部的线圈发生振动，驱动电磁驱动元件上的振动膜带动感应金属层一起振动；感应金属层在屏蔽金属层附近振动时，感应金属层上产生的感应电荷随着感应电荷周期性的变化，感应金属层输出一个正比于外电场的交变电流，通过外部测量电路检测出该电流的大小，实现外电场测量。相比传统的电场传感器，本发明具有体积小、功耗低、免封装、成本低的优点。 |
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