| 专利名称 | GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法 | 申请号 | CN201010101896.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101769941A | 公开（授权）日 | 2010.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 李天信;殷豪;夏辉;陆卫;包西昌;胡伟达;李宁;李志峰;陈效双;李向阳 | 主分类号 | G01Q60/30(2010.01)I | IPC主分类号 | G01Q60/30(2010.01)I | 专利有效期 | GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法 至GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。 |
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