| 专利名称 | PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法 | 申请号 | CN201110046360.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102651313A | 公开（授权）日 | 2012.08.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;李永亮 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法 至PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数的调节方法，在完成常规的LOCOS或STI介质隔离后，用快速热氧化或化学法在半导体衬底上生长超薄界面氧化层或氮氧化层；淀积高介电常数(K)栅介质，接着快速热退火；淀积复合金属栅；淀积势垒金属层；淀积多晶硅膜和硬掩模，然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶后，依次刻蚀多晶硅膜/势垒金属层/金属栅/高K介质/界面氧化层形成多晶硅膜/势垒金属层/金属栅/高K栅介质叠层结构。然后进行常规的侧墙形成、源/漏注入及快速热退火，在完成源/漏杂质激活的同时，实现了PMOS器件金属栅有效功函数的调节。 |
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