| 专利名称 | 复合存储单元和存储器 | 申请号 | CN201110046327.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102651233A | 公开（授权）日 | 2012.08.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;许中广;霍宗亮;谢常青;龙世兵;张满红;李冬梅;王琴;刘璟 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 复合存储单元和存储器 至复合存储单元和存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种复合存储单元和存储器。该复合存储单元包括：浮栅子单元；以及形成于该浮栅子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元；其中，RRAM子单元作为存储模块时，浮栅子单元作为选通模块；而RRAM子单元处于低阻态时，浮栅子单元作为存储模块。本发明综合利用了浮栅存储方式的高密度、高可靠性、串扰小、耐受性高等优点和RRAM存储方式的低功耗、高速度、结构简单等优点。 |
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