| 专利名称 | 三结级联太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201210154999.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102651417A | 公开（授权）日 | 2012.08.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 三结级联太阳能电池及其制备方法 至三结级联太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种三结级联太阳能电池包括GaAs或Ge的衬底，以及在所述衬底上依次设置的第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的三结级联太阳能电池的制备方法，步骤为在衬底上依次生长第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。 |
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