| 专利名称 | 一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201210074831.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102628113A | 公开（授权）日 | 2012.08.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 于润泽;望贤成;孔盼盼;刘清青;靳常青 | 主分类号 | C22C9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C9/00(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I;C30B1/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法 至一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种超高压新相Cu2Sb合金晶体及其制备方法，该晶体坍塌四方相的空间群为P4/nmmz，晶格常数为a=3.8-3.9?,c=5.9-6.0?。本发明通过高压方法，将常压下的Cu2Sb合金晶体通过高压作用，发生结构转变，从而得到了一种新的坍塌四方相Cu2Sb合金。本发明为探究铁基超导体提供了可能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障