| 专利名称 | 一种制备大尺寸硅孔阵列的方法 | 申请号 | CN201210130396.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102650069A | 公开（授权）日 | 2012.08.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 赵雷;李兆辰;王文静 | 主分类号 | C25D11/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D11/32(2006.01)I;C25D15/00(2006.01)I;C25F3/12(2006.01)I;C25F3/14(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备大尺寸硅孔阵列的方法 至一种制备大尺寸硅孔阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备大尺寸硅孔阵列的方法，步骤如下：首先选择低电阻率的p型硅衬底，在表面上沉积金属颗粒，然后将表面沉积了金属颗粒的硅衬底在含有氧化剂的溶液中进行阳极氧化，在恒流条件下，通过控制电流密度和腐蚀时间，获得百纳米到微米量级的大尺寸硅孔阵列。 |
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