| 专利名称 | 双面平行对称硅梁质量块结构及其制备方法 | 申请号 | CN201210127069.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102642801A | 公开（授权）日 | 2012.08.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 车录锋;周晓峰;熊斌;林友玲;王跃林 | 主分类号 | B81B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 双面平行对称硅梁质量块结构及其制备方法 至双面平行对称硅梁质量块结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种双面平行对称梁质量块结构及其制备方法，属于微电子机械系统领域，该方法通过利用双面正反对准光刻工艺在双抛(100)硅片上形成双面平行对称梁质量块图形区域，然后进行干法刻蚀和湿法各向异性刻蚀，悬臂梁的（111）面作为腐蚀终止面，自动终止硅悬臂梁的腐蚀，最终形成双面平行对称梁质量块结构。该制备方法工艺简单，可以对双面平行对称梁质量块结构尺寸进行精确控制，使得梁质量块结构的制造成品率大大提高。本发明制备的器件在法向具有高度对称性，提高了器件抗侧向冲击和扭转冲击的能力，降低了交叉灵敏度，可应用于多种MEMS器件的结构中，如电容式加速度传感器、电阻式加速度传感器、微机械陀螺等。 |
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