| 专利名称 | 一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构 | 申请号 | CN200810116556.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101325225 | 公开（授权）日 | 2008.12.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 赵雷;王文静 | 主分类号 | H01L31/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构 至一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构。所述发射极结构依次包括一种掺杂类型 的晶硅衬底1，在所述晶硅衬底1上制备的与所述晶硅衬底1掺杂类型相反的晶硅层2，在 所述晶硅层2上制备的透明导电电极层3，在透明导电电极层3上制备的金属栅线4。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障