| 专利名称 | 一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构 | 申请号 | CN200810116535.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101325224 | 公开（授权）日 | 2008.12.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王文静;赵雷 | 主分类号 | H01L31/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构 至一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构。所述发射极结构依次包括一种掺杂类型的晶 硅衬底1，在所述晶硅衬底1上制备的与所述晶硅衬底1掺杂类型相反的晶硅层2，在所述 晶硅层2上制备的与晶硅层2掺杂类型相同的薄膜硅层3，在所述薄膜硅层3上制备的透明 导电电极层4，在透明导电电极层4上制备的金属栅线5。 |
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