| 专利名称 | 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用 | 申请号 | CN200810040645.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101325154 | 公开（授权）日 | 2008.12.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技有限公司 | 发明（设计）人 | 马小波;刘卫丽;宋志棠;李炜;林成鲁 | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/18(2006.01)I | 专利有效期 | 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用 至混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构及其制作方法，特 征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成，且单晶硅的晶向由衬底硅决定。制备 该结构的关键是能够制作出绝缘层上锗单晶薄膜，本发明利用等离子体低温 键合和低温剥离的工艺，将单晶锗薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶锗薄膜 上选择性刻蚀、外延单晶硅，从而制备出混合有图形化单晶硅的绝缘层上锗 结构衬底。本发明可用于砷化镓外延，实现与III-V族半导体的集成。同时存 在的图形化单晶硅材料可以进行常规CMOS工艺加工，制备常规器件与电 路，有效解决氧化埋层的自加热效应。这种新型混合图形化单晶硅的绝缘层 上锗结构，在高速高性能CMOS器件，光电集成电路，高速光探测器等方面 有重要的应用前景。 |
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