| 专利名称 | 一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 | 申请号 | CN201210418410.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102904159A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 盛振;王智琪;甘甫烷;武爱民;王曦;邹世昌 | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/323(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 至一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于BCB（苯并环丁烯）键合工艺的混合集成激光器及其制作方法，所述混合集成激光器包括具有硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片、BCB覆层、具有底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、贯穿所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔、填充于所述热沉通孔内的多晶硅热沉；结合于所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层表面且具有电极通孔的氮化硅隔离层以及电极结构。本发明采用BCB键合工艺实现了SOI硅基光波导芯片与Ⅲ-Ⅴ族激光器的单片集成，并且引入多晶硅热沉结构以提高激光器的性能。本发明可作为硅基光源器件，为硅基光集成芯片提供片上光源。 |
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