一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法

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专利名称 一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法 申请号 CN201210094292.0 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102633531A 公开(授权)日 2012.08.15 申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 张劲松;田冲;杨振明;曹小明 主分类号 C04B38/06(2006.01)I IPC主分类号 C04B38/06(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/632(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;B01D69/10(2006.01)I;B01D71/02(2006.01)I 专利有效期 一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法 至一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法。梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC,由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构;其中,支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成,平均孔径5~120μm,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1~20μm,膜管整体气孔率在25~50%之间。制备方法依次包括配料、支撑体成型、膜层制备和烧成,成型采用等静压成型,成型压力控制为40~150MPa,烧成温度控制为1500~2400℃,保温时间0.5~5小时,易于实现,能够保证产品性能。本发明可在氧化气氛下使用,也可以在还原气氛下使用,耐酸、碱腐蚀性能强,可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。

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