| 专利名称 | 一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法 | 申请号 | CN201210107636.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102633229A | 公开（授权）日 | 2012.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;赵泽宇;王长涛;王彦钦;高平;刘玲;冯沁;黄成;杨磊磊;陶兴 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;G02B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法 至一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法，其主要步骤为：利用IBE刻蚀半圆柱形沟槽得到和其曲率半径相同但是径深减小的圆弧形曲面沟槽，然后在圆弧形曲面沟槽内沉积多层膜，之后利用IBE对多层膜进行刻蚀，得到成像面为平面的超透镜。该方法不需要制备非均匀厚度的薄膜实现平面超透镜的制作，只需要采取常用的IBE技术就可以获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，在圆弧形曲面沟槽上沉积厚度均匀的多层膜以后，再次通过IBE刻蚀技术就可以在圆弧形曲面沟槽上制备出成像面为平面的超透镜。本发明只需要采用常规的离子束刻蚀技术、薄膜沉积技术、反应离子刻蚀技术就可获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，并在此基础上制备出成像面为平面的超透镜。 |
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