| 专利名称 | 一种晶圆表面的研磨去除率的计算方法 | 申请号 | CN201210143575.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102637238A | 公开（授权）日 | 2012.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 曹鹤;陈岚 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶圆表面的研磨去除率的计算方法 至一种晶圆表面的研磨去除率的计算方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种晶圆表面的研磨去除率的计算方法，涉及化学机械研磨技术领域，特别涉及一种晶圆表面的研磨去除率的计算方法，本发明通过获取研磨粒子与晶圆上的计算点接触时的平均去除深度，并结合研磨周期内所述研磨粒子与所述计算点的接触次数，得出研磨周期内计算点的去除深度，进而将去除深度除以研磨周期即可实现准确可靠的获得所述晶圆表面的研磨去除率。 |
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