| 专利名称 | 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法 | 申请号 | CN200910200722.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101764102A | 公开（授权）日 | 2010.06.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋 | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法 至一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI?CMOS器件的制作方法，该方法为：由下至上依次生长硅衬底层，埋层氧化层，单晶硅顶层；采用STI工艺在单晶硅顶层位置处形成的有源区进行氧化物隔离；有源区包括NMOS区和PMOS区；在NMOS区和PMOS区中间刻蚀一个窗口，利用热氧化的方法在窗口内侧壁形成NMOS和PMOS栅氧化层；在窗口处淀积多晶硅，填满，掺杂，然后通过化学机械抛光形成垂直栅区；在NMOS和PMOS沟道采用多次离子注入的方式掺杂再快速退火，源漏区则采用离子注入方式重掺杂。本发明工艺简单，制作出的器件占用面积小版图层数少，能够完全避免浮体效应，方便对寄生电阻电容的测试。 |
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