用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法

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专利名称 用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法 申请号 CN201110205749.6 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102886933A 公开(授权)日 2013.01.23 申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所;日本名古屋工业大学 发明(设计)人 杨勇;黄政仁;野上政行;钟村荣 主分类号 B32B15/04(2006.01)I IPC主分类号 B32B15/04(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I 专利有效期 用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法 至用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明属于激光拉曼光谱和痕量毒品检测技术领域,具体涉及一种用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法。本发明提供一种SERS活性基底,所述SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构,所述贵金属材料为银和/或金。本发明还提供一种采用氩离子冲击方法制备所述SERS活性基底的方法。本发明所述高灵敏度SERS传感器活性基底具有表面增强拉曼活性,重复率高的,可用于痕量化合物如毒品、爆炸物等探测。

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