| 专利名称 | 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法 | 申请号 | CN201210414939.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102925875A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈弘;马紫光;贾海强;王文新;江洋;王禄;李卫 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I | 专利有效期 | 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法 至用于薄膜生长的双模系统及其控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于薄膜生长的双模系统及其控制方法，双模系统包括非反应气源、第一反应源、第二反应源、带有旋转载台的反应室和控制装置，控制装置控制本系统在两种反应模式之间相互转换；在第一反应模式中，控制装置仅提供两类反应源到反应室内的流体连通；在第二反应模式中，控制装置提供非反应气源、两类反应源到反应室内的流体连通，两类反应源沿旋转载台旋转方向通过非反应气源的隔离作用，在旋转载台表面形成相互间隔、依次排列的独立区域，每种反应源形成的独立区域会发生独立的生长反应。该双模系统实现了MOCVD与ALD两种反应模式的原位转换，从而解决了沉积用原材料的效率最大化与沉积薄膜质量最优化的矛盾。 |
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