| 专利名称 | 醇热反应制备尖晶石结构薄膜热敏电阻的方法 | 申请号 | CN201210470628.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102923792A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈雪颖;边亮;王磊;徐金宝 | 主分类号 | C01G53/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G53/00(2006.01)I | 专利有效期 | 醇热反应制备尖晶石结构薄膜热敏电阻的方法 至醇热反应制备尖晶石结构薄膜热敏电阻的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种醇热反应制备尖晶石结构薄膜热敏电阻的方法，该方法是在相对较低的温度下形成具有尖晶石晶相结构的薄膜热敏电阻，以Mn、Co、Ni过渡金属氧化物为原料，与有机溶剂混合搅拌均匀，在室温条件下，以旋涂法制备薄膜，通过相对较低温度的醇热反应合成具有尖晶石结构的薄膜热敏电阻。该方法具有合成温度相对较低，工艺简单，成本低廉等优点。通过该方法获得的薄膜具有尖晶石晶相结构及负温度系数效应。 |
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