| 专利名称 | 提高晶体硅太阳能电池转换效率的多层膜结构 | 申请号 | CN201120444068.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202373592U | 公开（授权）日 | 2012.08.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 发明（设计）人 | 雷震霖;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松 | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I | 专利有效期 | 提高晶体硅太阳能电池转换效率的多层膜结构 至提高晶体硅太阳能电池转换效率的多层膜结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种多层膜结构，特别涉及一种可以提高晶体硅太阳能电池转换效率的多层膜结构。所述多层膜为至少两层的硅系膜层该多层膜结构可以用作太阳能电池片上的钝化层/减反射层。可以通过在沉积工艺期间通过向常规前驱气体混合物在太阳能电池片上形成硅系膜层。本实用新型提供了一种利用微波PECVD方法来沉积多层SiN膜层作为太阳能电池片上钝化层和减反射层。通过该方法允许系统构造成用于处理大面积的电池片以实施太阳能电池片上的SiN钝化层上的沉积，从而利用系统的高沉积速率和优良的薄膜均匀性。 |
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