| 专利名称 | 一种石墨烯场效应器件制备方法 | 申请号 | CN201210425691.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102915929A | 公开（授权）日 | 2013.02.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;谢红;刘晓宇;张有为;陈志蓥;于广辉;谢晓明 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯场效应器件制备方法 至一种石墨烯场效应器件制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al2O3薄膜，并利用湿法刻蚀的方法对其进行刻蚀，露出栅电极接触及对准标记。随后将采用化学气相沉积（CVD）方法制备的的单层石墨烯薄膜转移到衬底上，并采用等离子体刻蚀系统刻蚀形成墨烯场效应管（GFET）的导电沟道。最后采用EBL的定义源极、漏极电极区域，并采用光学曝光定义金属接触，沉积金属并剥离以实现金属互连。该方法与传统CMOS制造工艺兼容，简化了器件的制备工艺，有利于提高器件的性能。该发明适用于石墨烯基电子器件及大规模碳基集成电路的加工制造工艺。 |
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