| 专利名称 | 一种用于全固态电储能器件的正电荷存储材料 | 申请号 | CN201210395553.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102915834A | 公开（授权）日 | 2013.02.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所;刘必前 | 发明（设计）人 | 任晓灵;王丽华;何敏;汪前东;刘必前 | 主分类号 | H01G4/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G4/00(2006.01)I;H01G4/002(2006.01)I;C07D231/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于全固态电储能器件的正电荷存储材料 至一种用于全固态电储能器件的正电荷存储材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种全固态电储能器件的正电荷存储材料，主要是具有高正电荷迁移率的吡唑啉类衍生物。通过在吡唑啉分子上引入取代基团，改善正电荷存储材料的正电荷迁移率等性质从而提高器件的工作性能。本发明将吡唑啉类衍生物这种正电荷存储材料用于全固态电储能器件，得到具有高的能量密度和功率密度，而且对环境友好，安全性高的储能器件。 |
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