| 专利名称 | 亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201210122015.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102627258A | 公开（授权）日 | 2012.08.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡渭;陈田祥;孙庆荣;陈勇;徐玉朋;卢方军 | 主分类号 | B81C99/00(2010.01)I | IPC主分类号 | B81C99/00(2010.01)I;B81B1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜及其制备方法 至亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜及其制备方法，该方法主要包括如下步骤：在基片上制备聚酰亚胺薄膜层；在聚酰亚胺薄膜层上获得光刻胶图形，然后沉积金属种子层，在金属种子层上电镀金属层，形成金属框，然后在金属框的支撑下将金属框和聚酰亚胺薄膜层一同从基片上剥离，再将聚酰亚胺薄膜层与金属框分离获得亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜。本发明的制备方法由于在聚酰亚胺薄膜上镀上了一层质地相对聚酰亚胺薄膜硬的金属框，便于将聚酰亚胺薄膜从基片上剥离，而不会破坏聚酰亚胺薄膜的结构，能够获得均匀性好、面积大、缺陷少的亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜。 |
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