| 专利名称 | 一种温度控制的磁电子器件、其制备方法及应用 | 申请号 | CN201210346506.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102903841A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 刘宜伟;李润伟;詹清峰;代国红 | 主分类号 | H01L37/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L37/00(2006.01)I;H01F10/10(2006.01)I;H01F27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种温度控制的磁电子器件、其制备方法及应用 至一种温度控制的磁电子器件、其制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种温度控制的磁电子器件，包括衬底以及位于衬底表面的磁性材料层；该衬底具有各向异性热膨胀系数；该磁性材料层的磁致伸缩系数不为零；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底温度变化，引起衬底各向异性的热膨胀（或热收缩），所产生的应力通过衬底与磁性材料层的界面传递至磁性材料层，使磁性材料层的磁性能发生变化。与现有技术相比，本发明具有结构简单、制备方法、对器件磁性能调控效果显著、可扩展性强、温度源选用灵活等优点，在磁电子器件、废热回收等领域具有良好的应用前景。 |
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