| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110215096.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102903638A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括在第一半导体材料的半导体衬底上依次形成遂穿介质层、存储介质层、栅介质层和栅极层。对遂穿介质层、存储介质层、栅介质层和栅极层进行图案化以形成栅极叠置体。在栅极叠置体两侧的半导体衬底中形成凹槽。在凹槽中填充不同于第一半导体材料的第二半导体材料，同时整个器件覆盖介质层。通过第二半导体材料与覆盖介质层产生的应力是沟道中表面能级变化，提高隧穿电流，改善器件存储效果。 |
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