| 专利名称 | 一种反铁电薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201210332301.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102891250A | 公开（授权）日 | 2013.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 李润伟;左正笏;詹清峰;陈斌;杨华礼;刘宜伟 | 主分类号 | H01L41/314(2013.01)I | IPC主分类号 | H01L41/314(2013.01)I;H01L41/39(2013.01)I | 专利有效期 | 一种反铁电薄膜的制备方法 至一种反铁电薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种反铁电薄膜的制备方法。该方法采用由硅片层、中间层和铂薄膜组成的镀铂硅片；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液中，使中间层与腐蚀溶液反应，铂薄膜从硅片上脱离；然后，将铂薄膜转移到去离子水中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上并干燥；最后，在铂薄膜上制备反铁电薄膜。与现有技术相比，本发明制得的反铁电薄膜脱离了衬底的束缚，实验证实有效提高了反铁电薄膜的能量存储密度，同时也提高了其能量转换效率，作为储能元件具有广泛的应用前景。 |
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