| 专利名称 | 铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 | 申请号 | CN201010118290.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101789469A | 公开（授权）日 | 2010.07.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;王耀明;朱小龙;吕旭杰;王晶 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 至铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及铜铟镓硒硫(CIGSS)光吸收层薄膜的制备方法。特征在于首先采用磁控溅射法在基片沉积Cu膜，然后采用蒸发法沉积In-Ga膜，形成Cu-In-Ga合金膜，再次将Cu-In-Ga合金膜与固态Se源或气态H2Se源反应生成铜铟镓硒(CIGS)薄膜，最后将CIGS薄膜与固态S单质或气态H2S源反应生成铜铟镓硒硫(CIGSS)吸光层薄膜。本发明所提供的CIGSS薄膜的制备方法，不仅避免了三步共蒸发法中的大面积薄膜成分难以控制的问题，也克服了磁控溅射法中成膜速率过慢的问题，而且改善了CIGSS薄膜的表面状态，减少了CIGSS电池的界面复合，有利于高效率CIGSS薄膜太阳电池的规模化生产。 |
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