| 专利名称 | 一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 | 申请号 | CN200910200718.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101789435A | 公开（授权）日 | 2010.07.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/38(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 至一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于垂直栅SOI?CMOS器件的超结结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的栅区、源区、沟道区、漂移区、漏区，所述栅区与埋氧层垂直并直接接触，沟道区和漏区之间设有pn柱区上下排列的漂移区，且漂移区中居于下方的柱区与漏区掺杂类型一致。本发明在垂直栅SOI?CMOS器件的基础上，将单一掺杂类型的漂移区改造成pn柱区交错的漂移区，尽可能使得漂移区在达到击穿电压时全耗尽，各处电场分布得到优化，电场峰值在漂移区、漂移区与沟道区交界处、漂移区与漏区交界处降低并平坦化，在继承了垂直栅SOI?CMOS器件消除浮体效应的基础上，大大提升了SOI?LDMOS的抗高压击穿能力。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障