| 专利名称 | 一种高密度低寄生的电容装置 | 申请号 | CN201010123023.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101789430A | 公开（授权）日 | 2010.07.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 冯鹏;吴南健 | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/08(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高密度低寄生的电容装置 至一种高密度低寄生的电容装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高密度低寄生的电容装置，包括：一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和N阱构成的PMOS电容；多晶硅栅与第一层金属之间的第一电容；同一层金属之间的第二电容，其中该同一层金属由金属方块阵列构成，且每一个金属方块与其相邻的金属方块分别连接到电容装置的A端口和B端口；通孔与通孔之间的第三电容，其中每个通孔与其相邻的通孔分别连接到电容装置的A端口和B端口；MIM电容，具有上极板和下极板，上极板和下极板分别连接到电容装置的A端口和B端口。本发明通过在MOS电容上实现多晶硅栅与金属层之间的电容、同层金属之间的电容、通孔与通孔之间的电容、MIM电容等，最大限度的实现了单位面积上的电容。 |
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