| 专利名称 | 盖革模式APD被动淬火与恢复集成电路的设计方法 | 申请号 | CN201010101857.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101789040A | 公开（授权）日 | 2010.07.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 周扬;陈永平;陈世军;刘强;白宗杰;邓若汉;严奕 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 专利有效期 | 盖革模式APD被动淬火与恢复集成电路的设计方法 至盖革模式APD被动淬火与恢复集成电路的设计方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种“盖革”模式APD器件被动淬火与恢复集成电路的设计方法。本发明方法基于目标APD器件的实测特性，抽象出I-V关系式，从而建立非线性模块表征目标APD器件的实测特性，同时在设计过程加入流控开关准确判断雪崩淬灭时间和控制雪崩淬灭过程，解决了现有设计方法中不能全面考虑器件整体的非线性I-V特性和动态的导通电阻，无法准确判断雪崩淬灭时间的缺点，从而提高了“盖革”模式APD被动淬火与恢复集成电路的设计精度和设计效率，提高了被动淬火与恢复集成电路流片的成功率，降低了设计成本和制作成本。 |
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