| 专利名称 | 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 | 申请号 | CN201110100538.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102208756A | 公开（授权）日 | 2011.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 汪明;杨涛 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 至在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层，完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。其是通过在较低温度下生长合适的InAs量子阱厚度，起到了在大应变条件下减小缺陷，增加跃迁波长到2.3μm的作用。 |
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