| 专利名称 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 | 申请号 | CN201110134149.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102208340A | 公开（授权）日 | 2011.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙波;伊晓燕;刘志强;汪炼成;郭恩卿;王国宏 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 专利有效期 | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 至自支撑氮化镓衬底的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长一层薄膜层；步骤3：在薄膜层上生长一层纳米薄膜，得到一基片；步骤4：对基片进行退火，退火后使基片上的纳米薄膜形成纳米颗粒，形成源衬底；步骤5：在源衬底的纳米薄膜上生长出自支撑衬底；步骤6：将源衬底与自支撑衬底通过机械方法实现分离，完成制作。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障