| 专利名称 | 一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法 | 申请号 | CN201210495667.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102938371A | 公开（授权）日 | 2013.02.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘洪刚;韩乐;薛百清;孙兵;王盛凯 | 主分类号 | H01L21/225(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/225(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法 至一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，包括：去除p型Ge衬底表面的自然氧化层，以形成激活的Ge表面；对激活的Ge表面进行硫钝化处理，利用Ge表面化学吸附作用构成Ge表面的硫吸附层；在Ge衬底上低温外延或者生长帽层；采用快速退火工艺将硫吸附层中的硫原子扩散进Ge衬底内；腐蚀掉帽层从而得到硫掺杂的n+/p型超浅结。利用本发明，能够实现在Ge衬底上的n+/p型超浅结，且工艺设备较为简单，耗费较小，易于进行大规模操作，解决了在Ge衬底结构上实现纳米尺度的浅掺杂，并满足了不同掺杂分布的要求。 |
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