| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110225524.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102931222A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L29/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/32(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 半导体器件及其制造方法。本发明提供一种半导体器件，包括：第一半导体材料的半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极结构，栅极结构下方的沟道区中存在产生沟道应力的晶格位错线，晶格位错线与沟道成一定夹角。 |
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