| 专利名称 | 高压磁饱和式单相可控电抗器 | 申请号 | CN201110044637.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102208247A | 公开（授权）日 | 2011.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 张国强;李康 | 主分类号 | H01F21/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F21/08(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I;H01F27/24(2006.01)I;H01F27/30(2006.01)I | 专利有效期 | 高压磁饱和式单相可控电抗器 至高压磁饱和式单相可控电抗器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高压磁饱和式单相可控电抗器，由主铁心柱(1)，两个旁柱(3、4)、两个旁轭(10、11)组成卧置的“日”字形结构铁心。所述的主铁心柱(1)为等截面、单柱，且由带间隙的多个铁心饼叠积而成；第一旁柱(3)、第二旁柱(4)关于主铁心柱(1)左右对称；第一旁轭(11)、第二旁轭(12)关于主铁心柱(1)上下对称；第一旁柱(3)、第二旁柱(4)、第一旁轭(11)、第二旁轭(12)为等截面铁心，且横截面积均为主铁心柱(1)横截面积的一半。第一工作绕组(2)和第二工作绕组(7)套设在主铁心柱(1)上，两个控制绕组(5、6)分别套设在第一旁柱(3)、第二旁柱(4)上或对称套设在第一旁轭(10)或第二旁轭(11)的两端。 |
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