| 专利名称 | Ⅲ族氮化物HEMT器件 | 申请号 | CN201110367070.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102420247A | 公开（授权）日 | 2012.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 蔡勇;于国浩;董志华;王越;张宝顺 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | Ⅲ族氮化物HEMT器件 至Ⅲ族氮化物HEMT器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，绝缘介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一半导体设置于源、漏电极之间，主栅设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触；介质层形成于第二半导体和主栅表面，并设置在源、漏电极之间；副栅形成于介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。 |
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