| 专利名称 | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法 | 申请号 | CN201110306669.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102418072A | 公开（授权）日 | 2012.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 肖旭东;刘壮;杨春雷;王晓峰 | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法 至铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供至少一种能够精确地实现理论设计的能带结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法。这种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法通过控制铜、铟、镓和硒四种单质分别在不同的温度下分阶段蒸发，控制镓和铟的蒸发温度在一定时间内均匀改变，从而主动控制镓和铟的蒸发量使得所述光吸收层两侧镓含量略高中间镓含量略低。由于精确控制元素蒸发速率随时间变化，可以精确地控制CIGS的能带结构，能够精确地实现理论设计的能带结构。 |
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